一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法
申请人信息
- 申请人:昆明理工大学
- 申请人地址:650093 云南省昆明市五华区学府路253号
- 发明人: 昆明理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311420048.3 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117385457A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | C30B27/02 |
| 权利人 | 昆明理工大学 |
| 发明人 | 吕国强; 康家铭; 李太; 赵亮; 黄振玲; 周翔; 马文会; 李绍元; 任永生; 王懿文 |
| 地址 | 云南省昆明市一二一大街文昌路68号 |
摘要文本
昆明理工大学获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。 （更多数据，详见专利查询网）
专利主权项内容
1.一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，其特征在于：在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色；所述引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片(4)，肋片(4)的自由端向引气罩中心轴线延伸，肋片(4)的底端延伸至引气罩末端，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端(1)，微喇型进气端(1)的顶端直径大于底端直径，肋片(4)的顶端向上延伸至微喇型进气端(1)末端，引气罩S1段的底部为与微喇型进气端(1)底端一体成型的圆柱形引气筒Ⅰ，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，漏斗型引气筒包括从上至下依次连接的圆柱形引气段Ⅰ、微缩引气段和圆柱形引气段Ⅱ，圆柱形引气段Ⅰ、微缩引气段和圆柱形引气段Ⅱ一体成型，圆柱形引气段Ⅱ末端为引气罩出口端(10)，圆柱形引气筒Ⅰ、圆柱形引气筒Ⅱ和圆柱形引气段Ⅰ的内径相等，圆柱形引气段Ⅰ的直径大于圆柱形引气段Ⅱ的直径；引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤(2)，钼质重锤(2)包括从上至下依次连接的圆柱体Ⅰ段、微喇体Ⅱ段和圆柱体Ⅲ段，圆柱体Ⅰ段的直径小于圆柱体Ⅲ段的直径，钼质重锤(2)末端同轴固定设置有石墨籽晶夹具(7)，石墨籽晶夹具(7)的末端同轴夹持有籽晶(9)，籽晶(9)向下延伸至引气罩外侧；钼质重锤(2)的圆柱体Ⅰ段向上延伸至引气罩S1段的微喇型进气端(1)内，圆柱体Ⅲ段的末端向下延伸至引气罩S2段下部，石墨籽晶夹具(7)的顶端延伸至引气罩S2段内，石墨籽晶夹具(7)的末端位于引气罩S3段的微缩引气段内；钼质重锤(2)与引气罩S1段的圆柱形引气筒Ⅰ之间形成S1段狭道(5)，石墨籽晶夹具(7)与引气罩S3段的微缩引气段之间形成S3段狭道(8)。