← 返回列表
一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法
申请人信息
- 申请人:内蒙古科技大学
- 申请人地址:014010 内蒙古自治区包头市阿尔丁大街7号
- 发明人: 内蒙古科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311672649.3 |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117658639A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | C04B35/553 |
| 权利人 | 内蒙古科技大学 |
| 发明人 | 王炫力; 王晓娜; 宋希文 |
| 地址 | 内蒙古自治区包头市昆都仑区阿尔丁大街7号 |
摘要文本
内蒙古科技大学获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明属于稀土氟氧化物材料领域,具体涉及一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法,包括如下步骤:将稀土氧化物、稀土氟化物原料粉体预处理至纳米级;将原料粉体按照一定配比混合球磨、干燥、过筛形成混合均匀粉体;再压制成陶瓷坯体,于400~800℃焙烧制得稀土氟氧化物陶瓷。本发明采用预先将原料粉体细化至纳米级保证了原料粉体粒度的一致性,从而在后续固相反应过程中,能够实现稀土氟氧化物粉体的细小化和均一化,并实现稀土氟氧化物的低温合成,合成的稀土氟氧化物粉体具有结晶度高、晶粒尺寸小且均匀性好的优势,可直接用于物理气相沉积靶材的压制过程,无需再进行球磨粉碎,有效避免污染物的引入。
专利主权项内容
1.一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:将稀土氧化物粉体、稀土氟化物粉体分别经球磨、砂磨、干燥、过筛制得超细稀土氧化物粉体或超细稀土氟化物粉体,所述超细稀土氧化物粉体或超细稀土氟化物粉体的粒度D小于1μm;50S2:将超细稀土氧化物粉体、超细稀土氟化物粉体按照摩尔比1 : (1~3)进行混合球磨、干燥、过筛制得混合粉体材料;S3:将所述混合粉体材料压制成陶瓷坯体,于400~800℃焙烧制得稀土氟氧化物陶瓷。