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半导体器件的制备方法
申请人信息
- 申请人:长鑫集电(北京)存储技术有限公司
- 申请人地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢4层401-10
- 发明人: 长鑫集电(北京)存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311827371.2 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117529096A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H10B12/00 |
| 权利人 | 长鑫集电(北京)存储技术有限公司 |
| 发明人 | 李星 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢4层401-10 |
摘要文本
本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件的制备方法，以解决位线结构倾斜以及漏电问题。制备方法包括：对基底进行第一图形化处理，以形成多个位线接触孔；形成填充满位线接触孔的填充层；在基底上形成相互分立的多个电容接触结构和位于多个电容接触结构之间用于隔离各电容接触结构的隔离结构，各电容接触结构与各有源区的源极区和漏极区中另一者一一对应电接触；对隔离结构进行第二图形化处理，以形成多个位线通孔；形成多个填充位线通孔的位线结构，位线结构经由位于位线接触孔内的位线接触结构与源极区和漏极区中一者电连接。本公开实施例在保证位线结构的完整性的同时，减小位线结构与电容接触结构之间发生漏电的概率。
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括多个相互间隔的有源区，所述有源区包括源极区和漏极区，所述基底内具有沿第一方向间隔排布的多个字线，且所述字线沿第二方向延伸；对所述基底进行第一图形化处理，以形成多个位线接触孔，多个所述位线接触孔暴露出各所述有源区的所述源极区和所述漏极区中的一者；形成填充满所述位线接触孔的填充层；在所述基底上形成相互分立的多个电容接触结构和位于多个所述电容接触结构之间用于隔离各所述电容接触结构的隔离结构，所述电容接触结构的侧壁与所述隔离结构相接触，各所述电容接触结构与各所述有源区的所述源极区和所述漏极区中的另一者一一对应电接触；对所述隔离结构进行第二图形化处理，以形成多个位线通孔，所述位线通孔沿所述第一方向延伸；形成多个位线结构，所述位线结构填充所述位线通孔，所述位线结构经由位于所述位线接触孔内的位线接触结构与所述源极区和所述漏极区中的一者电连接。