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半导体结构及其制造方法、存储装置
申请人信息
- 申请人:长鑫集电(北京)存储技术有限公司
- 申请人地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢4层401-10
- 发明人: 长鑫集电(北京)存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法、存储装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311840859.9 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117500269A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H10B12/00 |
| 权利人 | 长鑫集电(北京)存储技术有限公司 |
| 发明人 | 周洋; 林祥云; 赵俊; 何家存 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢4层401-10 |
摘要文本
本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储装置，该制造方法包括：形成包括多个初始位线结构和存储节点接触窗口的初始半导体结构；在初始位线结构和存储节点接触窗口共同构成的结构的表面形成第一导电材料层；对第一导电材料层和初始位线结构进行蚀刻，以减小初始位线结构的高度，蚀刻后剩余的初始位线结构形成目标位线结构，蚀刻后剩余的第一导电材料层形成导电接触层；导电接触层远离衬底的表面与目标位线结构远离衬底的表面齐平；对导电接触层进行预设处理，以形成第一导电层和位于第一导电层远离衬底的一侧的第二导电层；在第二导电层远离衬底的一侧形成第三导电层。该方法可改善器件结构缺陷，极大减少其内部发生短路的概率。
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底以及位于所述衬底的阵列区上的多个初始位线结构，相邻的所述初始位线结构之间形成有存储节点接触窗口；在所述初始位线结构和所述存储节点接触窗口共同构成的结构的表面形成第一导电材料层，所述第一导电材料层填满所述存储节点接触窗口；对所述第一导电材料层和所述初始位线结构进行蚀刻，以减小所述初始位线结构的高度，蚀刻后剩余的所述初始位线结构形成目标位线结构，蚀刻后剩余的所述第一导电材料层形成导电接触层；所述导电接触层远离所述衬底的表面与所述目标位线结构远离所述衬底的表面齐平；对所述导电接触层进行预设处理，以形成第一导电层和位于所述第一导电层远离所述衬底的一侧的第二导电层；在所述第二导电层远离所述衬底的一侧形成第三导电层。