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半导体结构及其制备方法
申请人信息
- 申请人:长鑫集电(北京)存储技术有限公司
- 申请人地址:102600 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢4层401-10
- 发明人: 长鑫集电(北京)存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311829728.0 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117529097A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H10B12/00 |
| 权利人 | 长鑫集电(北京)存储技术有限公司 |
| 发明人 | 李烨; 张磊; 郑至翔 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢4层401-10 |
摘要文本
本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，方法包括：提供衬底，衬底内具有多个间隔排布的有源区，有源区包括源极区以及漏极区；于衬底上形成多个间隔排布的位线结构；刻蚀衬底，以形成沿第一方向延伸的接触槽，接触槽暴露出漏极区；于接触槽内及相邻位线结构之间形成接触材料层，接触材料层填满接触槽及相邻位线结构之间的间隙；接触材料层的顶表面与位线结构的顶表面齐平，且至少位于接触槽区域的接触材料层内无空洞，接触槽区域为接触槽和位于接触槽的正上方的区域；刻蚀接触材料层，以于接触材料层内形成多个间隔排布的隔离槽；于隔离槽内形成隔离层；回刻接触层，以形成接触结构。能够改善节点接触结构中存在的空洞缺陷问题，以降低电阻。
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有多个间隔排布的有源区，所述有源区包括源极区、沟道区以及漏极区，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间；于所述衬底上形成多个间隔排布的位线结构，所述位线结构沿第一方向延伸；刻蚀所述衬底，以形成沿所述第一方向延伸的接触槽，所述接触槽暴露出所述漏极区；于所述接触槽内及相邻所述位线结构之间形成接触材料层，所述接触材料层填满所述接触槽及相邻所述位线结构之间的间隙；所述接触材料层的顶表面与所述位线结构的顶表面齐平，且至少位于接触槽区域的所述接触材料层内无空洞，所述接触槽区域为所述接触槽和位于所述接触槽的正上方的区域；刻蚀所述接触材料层，以于所述接触材料层内形成多个间隔排布的隔离槽，刻蚀后剩余的所述接触材料层形成接触层；于所述隔离槽内形成隔离层；回刻所述接触层，以形成接触结构，所述接触结构的顶表面低于所述隔离层的顶表面。