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电子束发生器及离子束刻蚀设备
申请人信息
- 申请人:北京北方华创微电子装备有限公司
- 申请人地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
- 发明人: 北京北方华创微电子装备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电子束发生器及离子束刻蚀设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311704354.X |
| 申请日 | 2023/12/12 |
| 公告号 | CN117690773A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01J37/32 |
| 权利人 | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 发明人 | 田甲 |
| 地址 | 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |
摘要文本
本发明提供一种电子束发生器及离子束刻蚀设备，该电子束发生器包括：电子束生成腔体，具有引出口；遮挡组件，可活动地设置于电子束生成腔体之外；遮挡组件被设置为遮挡引出口，且能够通过调节遮挡组件的位置来调节引出口的引出面积。本方案可以根据电子束生成腔体内部的等离子体密度幅值的大小，通过遮挡组件调节引出口的引出面积，可以使该引出面积能够适配等离子体鞘层形态变化，使电子引出效率始终维持在较大幅值，从而有效提高了电子束发生器的性能和稳定性。
专利主权项内容
1.一种电子束发生器，其特征在于，包括：电子束生成腔体，具有引出口；遮挡组件，可活动地设置于所述电子束生成腔体之外；所述遮挡组件被设置为遮挡所述引出口，且能够通过调节所述遮挡组件的位置来调节所述引出口的引出面积。