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一种用于存储处理器固件的芯片及其制造方法、电子设备

申请号: CN202311820093.8
申请人: 中诚华隆计算机技术有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于存储处理器固件的芯片及其制造方法、电子设备
专利类型 发明授权
申请号 CN202311820093.8
申请日 2023/12/27
公告号 CN117476052B
公开日 2024/3/22
IPC主分类号 G11C5/00
权利人 中诚华隆计算机技术有限公司
发明人 王嘉诚; 张少仲
地址 北京市朝阳区来广营乡紫月路18号院3号楼8层

摘要文本

本申请实施例提供一种用于存储处理器固件的芯片及其制造方法、电子设备,能够解决固件存储装置的工作状态不能实时监控的技术问题。该用于存储处理器固件的芯片包括:衬底;存储单元,设置在衬底上;第一传感器层,包括第一物理层、第一信号处理层和第一应用层;第一物理层设置在存储单元背离衬底的一侧;第一信号处理层设置在第一物理层背离存储单元的一侧;第一应用层设置在第一信号处理层背离存储单元的一侧。处理器固件上的第一传感器层中传感器的数据,可以通过数据接口传递出去。传感器数据能够在计算设备的引导过程期间或者在没有操作系统的计算设备上的使用获得,可以实时获取存储单元的信息,实时监控固件存储装置的工作状态。

专利主权项内容

1.一种用于存储处理器固件的芯片,其特征在于,包括:衬底;存储单元,设置在所述衬底上;第一传感器层,包括第一物理层、第一信号处理层和第一应用层;所述第一物理层设置在所述存储单元背离所述衬底的一侧;所述第一信号处理层设置在所述第一物理层背离所述存储单元的一侧;所述第一应用层设置在所述第一信号处理层背离所述存储单元的一侧;其中,所述存储单元设置有多个,沿平行于所述衬底的方向,多个所述存储单元间隔布设;所述用于存储处理器固件的芯片还包括第二传感器层;所述第二传感器层设置在任意两个相邻的所述存储单元之间;多个所述存储单元包括相邻的第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元具有朝向所述第二存储单元的第一表面;所述第二存储单元具有朝向所述第一存储单元的第二表面;所述第二传感器层包括第二物理层、第二信号处理层和第二应用层;所述第一表面和所述第二表面上均设置有所述第二物理层;位于所述第一表面上的所述第二物理层和位于所述第二表面上的所述第二物理层之间设置有所述第二应用层;位于所述第一表面上的所述第二物理层和所述第二应用层之间设置有所述第二信号处理层;位于所述第二表面上的所述第二物理层和所述第二应用层之间设置有所述第二信号处理层。