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一种具有表面拓扑缺陷结构的碳纳米管及其制备方法与应用

申请号: CN202311793932.1
申请人: 北京化工大学
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种具有表面拓扑缺陷结构的碳纳米管及其制备方法与应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311793932.1
申请日 2023/12/25
公告号 CN117756100A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 C01B32/168
权利人 北京化工大学
发明人 胡传刚; 刘小文; 陈晓春; 王子春; 李静
地址 北京市朝阳区北三环东路15号

摘要文本

本发明公开了一种具有表面拓扑缺陷结构的碳纳米管及其制备方法与应用,涉及功能材料技术领域,先称取多壁碳纳米管置于管式炉中在空气气氛中煅烧;然后将煅烧后的多壁碳纳米管冷却至室温,置于混合酸中搅拌,加入超纯水稀释静置分层;接着底层碳纳米管用稀盐酸洗涤,离心,然后用超纯水洗涤至中性,透析一段时间后得到氧化碳纳米管;最后在CO2气氛下煅烧一段时间后,换成Ar, 同时升高温度到指定温度,退火一段时间,自然冷却至室温,获得具有表面拓扑缺陷结构的碳纳米管。本发明采用上述的一种具有表面拓扑缺陷结构的碳纳米管及其制备方法与应用,可以促进电荷重排和带隙收缩,有更好的稳定性以及可调性,能提高碳材料的电催化性能。 来自马-克-数-据-官网

专利主权项内容

1.一种具有表面拓扑缺陷结构的碳纳米管材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1称取多壁碳纳米管置于管式炉中在空气气氛中煅烧;S2将煅烧后的多壁碳纳米管冷却至室温,置于混合酸中搅拌,然后加入超纯水稀释静置分层;S3底层碳纳米管用稀盐酸洗涤,离心,然后用超纯水洗涤至中性,透析后得到氧化碳纳米管OCNT;S4氧化碳纳米管OCNT在CO气氛下煅烧后,再将CO气氛换成Ar,同时升高温度到指定温度,退火,然后自然冷却至室温,获得具有表面拓扑缺陷结构的碳纳米管。22