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一种基于自组装材料图案化微纳关键尺寸及其制备方法
申请人信息
- 申请人:中国计量科学研究院
- 申请人地址:100029 北京市朝阳区北三环东路18号
- 发明人: 中国计量科学研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于自组装材料图案化微纳关键尺寸及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311464577.3 |
| 申请日 | 2023/11/7 |
| 公告号 | CN117430079A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | B81C1/00 |
| 权利人 | 中国计量科学研究院 |
| 发明人 | 李适; 荆高山; 刘争; 李伟; 黄鹭; 施玉书 |
| 地址 | 北京市朝阳区北三环东路18号 |
摘要文本
本发明公开了一种基于自组装材料图案化微纳关键尺寸及其制备方法，硫醇SAM制备条件简单、结构稳定有序，在表面改性、电化学、生物传感器、分子电子学等诸多领域均有应用，且研究较为深入，本发明也因其稳定有序的结构特点，将其作为自组装单层物质的制备材料，硫醇分子由巯基、碳链、官能团组成，以正烷硫醇为例，官能团为甲基，使其具有疏水性；巯基对衬底产生吸附作用，在自组装过程中最为重要；碳链的长度决定了最终形成的SAM层的厚度，碳原子成“之”字形排列，形成全反式构象，使其具有热力学稳定性，且链之间的相互吸引力有助于稳定自组装膜结构，所制备的自组装材料具有均匀性和稳定性好的特点。
专利主权项内容
1.一种基于自组装材料图案化微纳关键尺寸的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将衬底材料进行紫外光刻处理，在衬底材料上制备芯片的图案化结构；S2、采用氧气等离子体去除衬底材料表面的残余杂质；S3、在衬底材料的表面先沉积铬，然后沉积金；S4、将沉积金后的衬底材料放入去胶液中浸泡，随后依次置于丙酮、乙醇中超声清洗，然后用去离子水冲洗，用氮气吹干，得到具有微纳结构的金衬底；S5、将金衬底浸泡在硫醇乙醇溶液中，静置，待自组装结束后，取出金衬底，依次用纯乙醇、去离子水进行洗涤，随后用氮气吹干，即得到自组装材料。