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TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法

申请号: CN202311588395.7
申请人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311588395.7
申请日 2023/11/23
公告号 CN117612997A
公开日 2024/2/27
IPC主分类号 H01L21/768
权利人 中国工程物理研究院电子工程研究所
发明人 安宁; 曹林炜; 王月兴; 孙翔宇; 周泉丰
地址 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

摘要文本

中国工程物理研究院电子工程研究所取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法,该方法包括:在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置;在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备传感器;沉积互联金属将传感器引出端与预留的与之互连的端口位置的金属再布线层互联。本发明利用半导体前道工艺在TSV转接板预设位置将温度、应变传感器内嵌集成,该集成TSV转接板结构除了提供电互联通道外,还具有测量温度、应变物理量的功能,使得基于该TSV转接板结构的集成封装结构在工作及外界环境载荷下可以直接测量其内部的温度、应变参数,为其可靠性评估优化提供有力的数据支撑和数据支撑。

专利主权项内容

1.TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法,其特征在于,所述集成方法包括:制备TSV转接板,同时在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置;利用半导体前道工艺在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备温度传感器和应变传感器;传感器制备完成后,在TSV转接板上沉积互联金属将传感器引出端与预留的与之互连的端口位置的金属再布线层互联。