← 返回列表
一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法
申请人信息
- 申请人:中国工程物理研究院电子工程研究所
- 申请人地址:621900 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
- 发明人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311783521.4 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117766672A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01M4/04 |
| 权利人 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 发明人 | 崔艳华; 邱进旭; 赵宇; 李红亮; 崔益秀; 徐荣睿 |
| 地址 | 四川省绵阳市游仙区绵山路64号 |
摘要文本
中国工程物理研究院电子工程研究所取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法, 该制备包括如下步骤：将修饰前驱体和固态薄膜正极界面升温产生的副产物在1×10‑2～1×10‑8mbar高压和50℃～500℃低温条件下结合，制备得到高电压薄膜正极界面修饰层。本发明能够显著提升界面层处材料的低温结晶性，增加了低温制备工艺兼容性；缩短正极材料退火时间获得高结晶相工序的同时提升高电压性能，减小能耗与成本。
专利主权项内容
1.一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将修饰前驱体和固态薄膜正极界面升温产生的副产物在1×10～1×10mbar高压和50℃～500℃低温条件下结合，制备得到高电压薄膜正极界面修饰层。-2-8