一种半导体石墨烯-准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法

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本发明属于碳基器件技术领域，公开了一种半导体石墨烯‑准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法，先在SiC衬底表面制备半导体石墨烯；然后在半导体石墨烯的局部区域，通过氢插层、电子束直写、聚焦离子束、激光诱导或原子力显微镜针尖加热制备准悬浮石墨烯。上述半导体石墨烯和准悬浮石墨烯均为单层，且在平面上形成无缝搭接的连续整体；准悬浮石墨烯能够作为电极部分，半导体石墨烯能够作为沟道材料。本发明能够在绝缘衬底上直接生长单层单晶半导体石墨烯，其具有超大晶畴和超高室温高迁移率；并在此基础上通过多种手段直接得到准悬浮石墨烯‑半导体石墨烯全碳结构，以期待利用该结构制备优异性能的全碳器件及集成电路。