一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法

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本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法，该半导体石墨烯为单层且均匀生长，半导体石墨烯的晶畴宽度可达500微米，长度为亚厘米量级，室温迁移率至少达到4500cm2/(V·s)；其可以采用碳膜辅助法大幅度增加平台面积，能够实现同时在两片SiC衬底上制备超大单晶畴半导体石墨烯；也可以在不利用碳膜辅助的情况下将两片SiC衬底特定排布实现超大单晶畴半导体石墨烯的制备；还可以利用改造坩埚在一片SiC衬底上制备出超大单晶畴半导体石墨烯。可见，本发明能够实现在绝缘衬底上直接生长单层单晶半导体石墨烯，其具有超大晶畴和超高室温高迁移率，可作为电子学器件的关键材料使用。