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一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法
申请人信息
- 申请人:天津大学
- 申请人地址:300072 天津市南开区卫津路92号
- 发明人: 天津大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311446568.1 |
| 申请日 | 2023/11/2 |
| 公告号 | CN117468088A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | C30B29/02 |
| 权利人 | 天津大学 |
| 发明人 | 马雷; 赵健; 李睿; 纪佩璇; 李雅奇 |
| 地址 | 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区 |
摘要文本
本发明属于外延石墨烯技术领域，公开了一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法，先在SiC衬底表面制备半导体石墨烯；然后将半导体石墨烯通过氢插层制备为准悬浮石墨烯。本发明首先直接在绝缘衬底上生长使得石墨烯单晶尺寸宽度扩展至500μm，长度达到毫米量级，同时生长均匀无明显缺陷；然后通过氢插层减弱了衬底对石墨烯的耦合作用，得到超大单晶畴准悬浮石墨烯，使得室温迁移率可达3300cm2/V·s，至少是传统外延石墨烯的3倍；以准悬浮石墨烯制备的顶栅器件表现出可达厘米级别的室温超长弹道输运性能，因此本发明可以应用到集成电路领域，将为电子学领域的发展带来崭新的前景。
专利主权项内容
1.一种超大单晶畴准悬浮石墨烯，包括碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的Si面制备有均匀生长的准悬浮石墨烯；所述准悬浮石墨烯为单层，其晶畴宽度可达500微米，长度为亚厘米量级；所述准悬浮石墨烯在室温下具有厘米级弹道输运自由程。