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基于脑膜吸光度变化的在体无创颅内压监测装置及方法
申请人信息
- 申请人:天津大学; 河北金康安医疗器械科技有限公司
- 申请人地址:300072 天津市南开区学府街道卫津路92号
- 发明人: 天津大学; 河北金康安医疗器械科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于脑膜吸光度变化的在体无创颅内压监测装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311759796.4 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117752317A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | A61B5/03 |
| 权利人 | 天津大学; 河北金康安医疗器械科技有限公司 |
| 发明人 | 刘秀云; 李浩东; 何孟奇; 明东; 亢俊健; 李罗臣; 李涛; 晁彦公; 庞美俊; 殷腾超 |
| 地址 | 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区; 河北省石家庄市高新区天山大街585号日中天科技园2001室 |
摘要文本
本发明公开了一种基于脑膜吸光度变化的在体无创颅内压监测装置及方法，监测装置包括：信号激发模块、光谱数据采集模块、数据处理模块，信号激发模块包括激光器和光参量振荡器，光谱数据采集模块包括光谱仪及其配套的数据采集软件；激光器输出端与和光参量振荡器输入端之间设置若干反射镜以调整光路；光参量振荡器输出端依次设置同轴透镜组和光纤束。本发明采用上述一种基于脑膜吸光度变化的在体无创颅内压监测装置及方法，能够在无创的情况下监测颅内ICP，易于使用、准确、可靠、无感染、可连续动态监测，极大减轻了患者在ICP监测中的痛苦，又可为医生诊断疾病、判断病情、制订进一步的诊疗方案提供客观依据，具有较大的临床潜力。。
专利主权项内容
1.一种基于脑膜吸光度变化的在体无创颅内压监测装置，其特征在于：包括信号激发模块、光谱数据采集模块、数据处理模块，信号激发模块包括激光器和光参量振荡器，光谱数据采集模块包括光谱仪及其配套的数据采集软件；激光器输出端与和光参量振荡器输入端之间设置若干反射镜以调整光路；光参量振荡器输出端依次设置同轴透镜组和光纤束，光纤束出光端连接至监测对象；光谱仪的探头与监测对象接触连接，探头与光纤束出光端位于同一平面内。。 （更多数据，详见马克数据网）