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一种双向可控的芯片限流检测电路

申请号: CN202311338074.1
申请人: 悦芯科技股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种双向可控的芯片限流检测电路
专利类型 发明申请
申请号 CN202311338074.1
申请日 2023/10/17
公告号 CN117410928A
公开日 2024/1/16
IPC主分类号 H02H1/00
权利人 悦芯科技股份有限公司
发明人 王光会; 张庆洋; 金星
地址 安徽省合肥市经济技术开发区宿松路3963号智能装备科技园D1栋东侧2层

摘要文本

本发明公开了一种双向可控的芯片限流检测电路,属于电流保护技术领域,包括控制回路、电流限制回路和过流检测回路,其中控制回路包括电阻R1和MOS驱动器,R1为MOS驱动器的LED限流电阻,用于防止LED电流过大损坏;电流限制回路包括MOS驱动器,电阻R2至R7,稳压管DZ1,N沟道MOS Q1、Q4,N沟道JFET Q2、Q3;过流检测回路包括电阻R8至R15、运算放大器U1和U2、二极管D1和D2,R8至R10、R14、U1组成第一差分运放电路,R11至R13、R15、U2组成第二差分运放电路,二极管D1、D2用于选择两个差分运放电路的输出信号;本发明实现了对小电流传输信号的限流保护。。 (来自 专利查询网)

专利主权项内容

1.一种双向可控的芯片限流检测电路,其特征在于,包括控制回路,电流限制回路和过流检测回路,其中:所述控制回路包括电阻R1和MOSFET驱动器O1,其中R1为MOSFET驱动器O1驱动LED的限流电阻,用于防止LED电流过大损坏;所述电流限制回路包括MOSFET驱动器O1,电阻R2至R7,稳压管DZ1,N沟道MOSFET Q1、Q4,N沟道JFET Q2、Q3;其中,R2为DZ1的限流电阻,R3和R4分别为Q1和Q4的栅极驱动电阻,Q1和Q4为限流电路的主开关,Q2和Q3为限流电路的电流调节器件;R5为驱动回路的分压电阻;R6和R7分别为Q2和Q3的分流电阻;所述过流检测回路包括电阻R8至R15、运算放大器U1和U2、二极管D1和D2,其中R8、R9、R10、R14、U1组成第一差分运放电路,R11、R12、R13、R15、U2组成第二差分运放电路,二极管D1和D2用于选择两个差分运放电路的输出信号。。马 克 数 据 网