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一种精度优于10纳米的太赫兹近场成像系统测量方法
申请人信息
- 申请人:合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市包河区滨湖卓越城文华园9号楼
- 发明人: 合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种精度优于10纳米的太赫兹近场成像系统测量方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311403878.5 |
| 申请日 | 2023/10/27 |
| 公告号 | CN117405624A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | G01N21/3581 |
| 权利人 | 合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室) |
| 发明人 | 张文丙; 彭承尧; 江凤婷; 余振春; 崔洪波 |
| 地址 | 安徽省合肥市包河区滨湖卓越城文华园9号楼 |
摘要文本
一种精度优于10纳米的太赫兹近场成像系统测量方法，利用太赫兹近场成像中太赫兹波穿透成像，逐点扫描后太赫兹波可以穿透内部并反馈到外部进行接收成像，摆脱太赫兹近场成像中探针针尖成像限制系统成像精度的问题，根据太赫兹波逐点扫描成像的原理，选择固定的扫描范围，增加扫描点的数量，可以获得精度优于10纳米的测量方法。解决成像精度依靠探针针尖精度的问题。本方法具有工艺简单的特点，可推广应用到10纳米半导体工艺制程中。
专利主权项内容
1.一种精度优于10纳米的太赫兹近场成像系统测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，选择曲率半径为40纳米的探针；步骤二，利用太赫兹近场成像系统对待测样品逐点扫描成像，设置扫描参数；步骤三，逐点扫描后太赫兹波穿透待测样品并反馈到接收进行成像，成像图为内部成像图。 来自马克数据网