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一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用
申请人信息
- 申请人:中国科学技术大学
- 申请人地址:230026 安徽省合肥市金寨路96号
- 发明人: 中国科学技术大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311507798.4 |
| 申请日 | 2023/11/9 |
| 公告号 | CN117534099A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | C01F7/166 |
| 权利人 | 中国科学技术大学 |
| 发明人 | 王凌飞; 章金凤; 王傲 |
| 地址 | 安徽省合肥市包河区金寨路96号 |
摘要文本
本发明提出了一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用。Sr4Al2O7薄膜是在较低的激光能量密度和一定氧气氛围条件下使用Sr3Al2O6或Sr4Al2O7多晶靶材制备的,获得的Sr4Al2O7与ABO3钙钛矿具有更强的界面结合能,并且在失配应变下更容易发生形变,能在晶胞参数为范围内衬底上高质量外延生长。ABO3/Sr4Al2O7异质结的相干外延生长抑制了目标氧化物薄膜在剥离转移剥离中裂纹的形成,即使是晶格常数范围较宽的非铁电氧化物膜,获得的自支撑薄膜无裂纹区域可达毫米尺寸。此外,Sr4Al2O7具有较高的水溶性,能够显著促进氧化物薄膜剥离过程。有益效果:Sr4Al2O7薄膜是一种通用且高效的牺牲层,能够制备出与外延薄膜相媲美的高完整性自支撑氧化物薄膜。
专利主权项内容
1.一种高性能水溶性牺牲材料,其特征在于,该材料的分子式为SrAlO,晶胞参数α=β=γ=90°。427