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一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法
申请人信息
- 申请人:巢湖学院
- 申请人地址:238000 安徽省合肥市巢湖经济开发区半汤路1号巢湖学院
- 发明人: 巢湖学院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311720432.5 |
| 申请日 | 2023/12/14 |
| 公告号 | CN117693269A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H10K71/12 |
| 权利人 | 巢湖学院 |
| 发明人 | 邓雅丹; 张自锋; 王青尧; 廖生温 |
| 地址 | 安徽省合肥市巢湖经济开发区半汤路1号巢湖学院 |
摘要文本
该数据由<专利查询网>整理 。本发明公开了一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法，涉及有机光电子技术领域，包括以下步骤：准备好Si/SiO2衬底；随后对衬底进行表面处理；再将苝酰亚胺超大单晶分散液滴于衬底表面；将干净的纸片盖于溶液表面，促进溶剂挥发和单晶均匀分散；随后对器件进行热处理，以使单晶与衬底表面有良好的接触；然后将器件送入蒸镀舱，蒸镀金电极，作为晶体管器件的源、漏电极；本发明制备工艺简单、不受固体表面特性和溶剂沸点的影响，可操控性强且重复率高，容易在稳定的环境中形成分子排列有序、结晶度高，内部缺陷少的超大单晶，更有利于后续器件的制备，其次本发明制备的苝酰亚胺超大单晶比表面积大，作为平面器件的活性层，电子传输能力更强。
专利主权项内容
1.一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、准备好Si/SiO衬底；随后对衬底进行表面处理；2S2、再将苝酰亚胺超大单晶分散液滴于衬底表面；S3、将干净的纸片盖于溶液表面，促进溶剂挥发和单晶均匀分散；S4、随后对器件进行热处理，以使单晶与衬底表面有良好的接触；S5、然后将器件送入蒸镀舱，蒸镀金电极，作为晶体管器件的源、漏电极，从而得到单晶晶体管器件；所述单晶晶体管器件的结构从下到上由以下几个部分组成：采用Si作为器件的的栅极，同时作为整个器件的衬底，为器件提供栅压；采用SiO作为器件的介电层，栅压通过介电层在半导体界面吸引电荷；2采用PTCDI-C8作为器件的活性层，为器件提供导电通道；采用Au作为器件的源、漏电极，促进半导体中载流子的传输与收集。