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一种半导体集成器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体集成器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311764176.X |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117457650A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 王厚有; 蔡明洋; 周成; 陶磊 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明提供了一种半导体集成器件及其制造方法，其中半导体集成器件包括：第一类型器件，第一类型器件的器件密度大于密集度阈值；第二类型器件，第二类型器件的器件密度小于等于密集度阈值；多个功能区，根据功能区中的器件关键尺寸，功能区位于第一类型器件上或第二类型器件上；以及键合层，设置在第一类型器件上和第二类型器件上，且第一类型器件和第二类型器件通过键合层连接。本发明提供了一种半导体集成器件及其制造方法，能够提升集成电路元器件的制造良率和制造效率。 来自马-克-数-据
专利主权项内容
1.一种半导体集成器件，其特征在于，包括：第一类型器件，所述第一类型器件的器件密度大于密集度阈值；第二类型器件，所述第二类型器件的器件密度小于等于所述密集度阈值；多个功能区，根据所述功能区中的器件关键尺寸，所述功能区位于所述第一类型器件上或所述第二类型器件上；以及键合层，设置在所述第一类型器件上和所述第二类型器件上，且所述第一类型器件和所述第二类型器件通过所述键合层连接。 来自马-克-数-据-官网