半导体器件以及其测试方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件以及其测试方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311689967.0 |
| 申请日 | 2023/12/11 |
| 公告号 | CN117393543B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L23/544 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 韩领; 郝永豪; 李海锋; 李宁; 孔祥炜 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本申请提供了一种半导体器件以及其测试方法，其中，该半导体器件包括：器件结构，包括MOS器件，MOS器件包括器件有源区和器件金属硅化物，器件金属硅化物位于器件有源区；测试结构，包括测试器件，测试器件包括多个测试栅极、至少一个测试有源区和至少一个测试金属硅化物，多个测试栅极间隔排列，测试有源区位于两个测试栅极之间，测试金属硅化物一一对应地位于有源区，其中，器件金属硅化物和测试金属硅化物为通过同一步骤形成的。本申请解决了现有技术中无法有效监控线上半导体器件是否漏电的问题。
专利主权项内容
更多数据： 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：器件结构，包括MOS器件，所述MOS器件包括器件有源区和器件金属硅化物，所述器件金属硅化物位于所述器件有源区；测试结构，包括测试器件，所述测试器件包括多个测试栅极、至少一个测试有源区和至少一个测试金属硅化物，多个所述测试栅极间隔排列，所述测试有源区位于两个所述测试栅极之间，测试金属硅化物一一对应地位于所述测试有源区，其中，所述器件金属硅化物和所述测试金属硅化物为通过同一步骤形成的，所述测试有源区和所述测试金属硅化物分别有多个，多个所述测试金属硅化物包括第一金属硅化物、第二金属硅化物和第三金属硅化物，多个所述测试栅极包括依次排列的第一测试栅极、第二测试栅极、第三测试栅极和第四测试栅极，其中，所述第一金属硅化物位于所述第一测试栅极与所述第二测试栅极之间的所述测试有源区，且所述第一金属硅化物的边缘不与所述测试有源区的边缘接触；所述第二金属硅化物位于所述第二测试栅极与所述第三测试栅极之间的所述测试有源区，且所述第二金属硅化物的左边缘与所述测试有源区的边缘接触；所述第三金属硅化物位于所述第三测试栅极与所述第四测试栅极之间的所述测试有源区中，且所述第三金属硅化物的右边缘与所述测试有源区的边缘接触，其中，所述左边缘与所述右边缘为所述测试金属硅化物沿第一方向的两个边缘，所述第一方向垂直于所述半导体器件的厚度方向。