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一种套刻误差的测量方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种套刻误差的测量方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311722635.8 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117410199B |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 杨学人 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明提供一种套刻误差的测量方法，包括：提供一晶圆；将整个所述晶圆平均划分为至少两个测试区域；测量每个所述测试区域中的一个测量点位处的套刻误差，以得到整个所述晶圆的套刻误差。意想不到的技术效果是，本发明中的套刻误差测量方法量测范围广且均匀，无需受曝光光束的大小的影响，可以降低每片晶圆上的量测点位，并且可以降低每批晶圆的量测片数，节省约一半的测量时间，提高了产量和机台产能。 （来自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种套刻误差的测量方法，其特征在于，包括：提供一晶圆；将整个所述晶圆平均划分为至少两个测试区域；测量每个所述测试区域中的一个测量点位处的套刻误差，每个所述测试区域内包括至少两个套刻标记，将与所述测试区域的中心距离最近的套刻标记作为所述测试区域的测量点位；每个所述测试区域完成测量点位的套刻误差之后，采用套刻补偿模型对测量结果进行补偿，以得到整个所述晶圆的套刻误差；其中，采用套刻补偿模型对测量结果进行补偿包括：提供场域间模型，根据所述套刻偏移量对所述场域间模型进行拟合，获得场域间补偿模型和初始残值；提供光场级模型，根据所述初始残值对所述光场级模型进行拟合，获得光场级补偿模型和最终残值；利用所述光场级补偿模型获得机台补偿值；通过所述场域间补偿模型、光场级补偿模型、最终残值以及机台补偿值，进行套刻补偿。