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半导体叠层结构的制造方法及半导体结构
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311789157.2 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117476549A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 宋富冉; 周儒领 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本公开涉及一种半导体叠层结构的制造方法及半导体结构，该方法包括提供衬底，于衬底的顶面形成沿第一方向延伸的第一金属结构及位于第一金属结构的沿第二方向相对两侧的隔离结构，第一金属结构与隔离结构之间包括位于第一金属结构外侧壁的牺牲氧化层；去除部分隔离结构及牺牲氧化层，形成暴露出部分第一金属结构的沿第二方向相对侧表面的目标凹槽；至少于第一金属结构的裸露表面形成绝缘层；形成至少填充满目标凹槽且沿第二方向延伸的第二金属结构；在与第一状态不同的其他状态下，第二金属结构与第一金属结构之间具有至少一种互联状态。可以避免第一金属结构损伤，减少芯片工艺不良的问题。
专利主权项内容
1.一种半导体叠层结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，于所述衬底的顶面形成沿第一方向延伸的第一金属结构及位于所述第一金属结构的沿第二方向相对两侧的隔离结构，所述第一金属结构与所述隔离结构之间包括位于所述第一金属结构外侧壁的牺牲氧化层，所述第一方向与所述第二方向相交；去除部分所述隔离结构及所述牺牲氧化层，形成暴露出部分所述第一金属结构的沿所述第二方向相对侧表面的目标凹槽；至少于所述第一金属结构的裸露表面形成绝缘层；形成至少填充满所述目标凹槽且沿所述第二方向延伸的第二金属结构；其中，在第一状态下所述第二金属结构与所述第一金属结构之间经由所述绝缘层绝缘；在与所述第一状态不同的其他状态下，所述第二金属结构与所述第一金属结构之间具有至少一种互联状态。 来自马克数据网