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一种半导体结构及其制造方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311744273.2 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117423659A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L21/8234 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陈兴; 黄普嵩 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域，所述半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多个浅沟槽隔离结构，设置在所述第一区域和所述第二区域之间；第一浅沟槽隔离凹陷区，设置在所述第一区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内；以及第二浅沟槽隔离凹陷区，设置在所述第二区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内，且所述第二浅沟槽隔离凹陷区的深度和/或宽度小于或等于所述第一浅沟槽隔离凹陷区的深度和/或宽度。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，能够调节不同半导体器件沟道宽度效应。
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多个浅沟槽隔离结构，设置在所述第一区域和所述第二区域之间；第一浅沟槽隔离凹陷区，设置在所述第一区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内；以及第二浅沟槽隔离凹陷区，设置在所述第二区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内，所述第二浅沟槽隔离凹陷区的深度和/或宽度小于或等于所述第一浅沟槽隔离凹陷区的深度和/或宽度。。关注公众号马 克 数 据 网