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采集晶圆表面金属的方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 采集晶圆表面金属的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311689960.9 |
| 申请日 | 2023/12/11 |
| 公告号 | CN117393452B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 黄小迪 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本申请提供了一种采集晶圆表面金属的方法。该方法包括：将待检测晶圆放入处理腔室中，去除待检测晶圆的预定部分，预定部分包括预定表面，预定表面为接受离子注入的表面；采用气相分解液滴对待检测晶圆的表面进行吹扫，并收集得到气相分解测试液。由于被离子注入的晶圆表面收到离子注入能量的影响，注入表面的晶格受到破坏，易产生亲水性，导致气相分解测试中无法收集气相分解测试液，该直接在处理腔室中将待检测晶圆的受损表面去除，露出内部疏水性较好的表面，使得能够顺利收集气相分解测试液且操作方便，进而解决了现有技术中受离子注入导致表面呈亲水性的晶圆无法收集气相分解液滴的问题。
专利主权项内容
1.一种采集晶圆表面金属的方法，其特征在于，所述晶圆已进行离子注入，所述方法包括：将待检测晶圆放入处理腔室中，去除待检测晶圆的预定部分，所述预定部分包括预定表面，所述预定表面为接受离子注入的表面；采用气相分解液滴对所述待检测晶圆的表面进行吹扫，并收集得到气相分解测试液，去除待检测晶圆的预定部分，包括：对待检测晶圆的预定表面进行预定处理，形成表面处理层，所述预定处理包括氧化处理和氮化处理中的至少一种，所述表面处理层包括氧化层和氮化层中的至少一个；采用HF蒸汽去除所述表面处理层，对待检测晶圆的预定表面进行预定处理，形成表面处理层，包括：在所述待检测晶圆的所述预定表面上涂覆HO溶液；22对涂覆有所述HO溶液的所述预定表面进行高温干燥处理，形成所述氧化层，22对所述待检测晶圆的预定表面进行预定处理，形成表面处理层，包括：将所述待检测晶圆在N的环境下进行高温干燥处理，形成所述氮化层。2