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背照式半导体结构刻蚀方法及刻蚀装置
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 背照式半导体结构刻蚀方法及刻蚀装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311749109.0 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117423716A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 杨昱霖 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明涉及一种背照式半导体结构刻蚀方法及刻蚀装置，通过将背照式半导体结构固定于刻蚀腔体内，使背照式半导体结构中器件晶圆的底面与刻蚀腔体内的阳极盘接触，刻蚀溶液与阴极电极接触，对阳极盘和阴极电极施加电压，使器件晶圆的底面被活化，刻蚀溶液中产生亲核取代基与器件晶圆的底面反应，从而实现对器件晶圆的底面的刻蚀。同时，控制施加于阳极盘和阴极电极之间的电压值以及流经阳极盘上不同区域的电流值，以调节器件晶圆的底面的不同区域的刻蚀速率，根据不同区域的厚度值与对应目标值的差值选择不同的刻蚀时间和刻蚀速率，从而使所有区域的厚度达到对应目标值，提高对刻蚀控制的精确性，保证了对衬底减薄处理的稳定性。
专利主权项内容
1.一种背照式半导体结构刻蚀方法，其特征在于，用于刻蚀固定于刻蚀腔体内的背照式半导体结构，所述背照式半导体结构包括承载晶圆及位于所述承载晶圆的顶面的器件晶圆；所述器件晶圆的顶面与所述承载晶圆的顶面键合，所述器件晶圆的底面与所述刻蚀腔体内的阳极盘接触，所述刻蚀腔体内还包括位于所述阳极盘正下方的阴极电极；所述刻蚀方法包括：控制施加于所述阳极盘、所述阴极电极之间的电压值及流经所述阳极盘上不同区域的电流值，使得所述器件晶圆的底面活化并与所述刻蚀腔体内刻蚀溶液中产生的亲核取代基反应，以调节所述器件晶圆的底面的不同区域的刻蚀速率；根据所述器件晶圆的底面的不同区域的厚度值与对应目标值的差值，调节所述不同区域的刻蚀时间及/或刻蚀速率。 该数据由<马克数据网>整理