← 返回列表
一种半导体结构及其制造方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311722568.X |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117410269B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L23/528 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 李毅; 杨清晓; 王星 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明提供了本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：半导体层；第一金属层，与半导体层电性连接；第二介电层，设置在第一金属层上；第一类型沟槽，设置在第二介电层上，第一类型沟槽在第一金属层上的正投影与第一金属层部分重合；预埋柱，设置在第一金属层上，预埋柱的一端穿过第二介电层与第一金属层连接，预埋柱的另一端穿过第一类型沟槽并伸出第一类型沟槽；以及硬掩膜层，设置在第二介电层上，硬掩膜层的顶面与预埋柱的顶面齐平，且硬掩膜层包括蚀刻窗口，蚀刻窗口与第一类型沟槽的槽口对应设置。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升集成电路的电学性能，并提升半导体制程良率。 （来自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体层，并在所述半导体层上形成第一金属层，其中所述第一金属层与所述半导体层电性连接；形成预埋柱于所述第一金属层上；形成第二介电层与所述第一金属层上；形成硬掩膜层于所述第二介电层上，其中所述硬掩膜层包括蚀刻窗口；以及刻蚀位于所述蚀刻窗口下的所述第二介电层，形成第一类型沟槽，其中所述第一类型沟槽在所述第一金属层上的正投影与所述第一金属层部分重合；其中，在形成所述第一类型沟槽时，保留所述预埋柱，所述预埋柱的一端穿过所述第二介电层与所述第一金属层连接，所述预埋柱的另一端穿过所述第一类型沟槽并伸出所述第一类型沟槽；形成所述第一类型沟槽后，以所述第一类型沟槽的槽底面为蚀刻停止面，蚀刻部分所述预埋柱，形成第二类型沟槽；在形成所述第二类型沟槽后，去除所述预埋柱，形成第三类型沟槽于所述第二介电层中，其中所述第三类型沟槽延伸至所述第一金属层的表面。。详见官网：