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一种纳米线焊接方法和焊接装置
申请人信息
- 申请人:合肥国镜仪器科技有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼301室
- 发明人: 合肥国镜仪器科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种纳米线焊接方法和焊接装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311825266.5 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117464155B |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | B23K15/06 |
| 权利人 | 合肥国镜仪器科技有限公司 |
| 发明人 | 方小伟; 郑哲 |
| 地址 | 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼301室 |
摘要文本
本发明属于纳米线电子源焊接技术领域，具体涉及一种纳米线焊接方法和焊接装置，焊接方法包括：S1、先在待焊接底座的一端上表面镀有纳米级厚度的导电金属膜；S2、再将单根纳米线转移使其部分置于所述导电金属膜上方，纳米线的其余部分悬空；S3、然后在真空条件下，通过聚焦离子束辐照纳米线侧面的导电金属膜处进行蒸发焊接，使得蒸发的导电金属喷涌至纳米线的待焊接位置。所述蒸发焊接的条件包括：真空度不低于10‑5Pa，聚焦离子束的束斑直径为5‑30nm。本发明的焊接过程不会改变纳米线的结构性质，纳米线与待焊接底座间形成良导体接触，大大增强纳米线作为电子源的发射束流强度特性，同时兼顾提升纳米线的耐热性能。
专利主权项内容
1.一种纳米线电子源焊接方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、先在待焊接底座的一端上表面镀有纳米级厚度的导电金属膜；在所述导电金属膜的部分表面设置沟槽，沟槽位于待焊接底座的对称轴位置处；S2、再将单根纳米线转移使其部分置于所述导电金属膜上方，纳米线的其余部分悬空；并在S2中将纳米线置于导电金属膜上方的沟槽上的对称轴位置处；S3、然后在真空条件下，通过聚焦离子束辐照纳米线侧面的导电金属膜处进行蒸发焊接，使得蒸发的导电金属喷涌至纳米线的待焊接位置；所述蒸发焊接的条件包括：真空度不低于10Pa，聚焦离子束的束斑直径为5-30nm，在垂直于纳米线的方向上，所述聚焦离子束辐照的位置与纳米线之间的距离为100nm-200nm。-5