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沟槽的制备方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 沟槽的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311658648.3 |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117352383A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/3065 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 张也; 林成芝 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明提供了一种沟槽的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺，以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀氧化硅层和氧化铝层，以形成贯穿氧化硅层和氧化铝层的开口，且开口的侧壁具有若干凸起，且在形成开口时同步刻蚀去除图形化的光刻胶层；执行第一修复工艺去除开口的侧壁的凸起以使开口的侧壁平滑；执行第二刻蚀工艺，以氧化硅层和氧化铝层为掩模沿开口向下刻蚀衬底，以在衬底中形成沟槽，且在形成沟槽时同步刻蚀去除氧化硅层；执行第二修复工艺以使沟槽的侧壁垂直；以及，去除氧化铝层。本发明提高了沟槽的侧壁垂直度，利于获取特征尺寸较精准的沟槽。 搜索专利查询网
专利主权项内容
1.一种沟槽的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺，以所述图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀所述氧化硅层和所述氧化铝层，以形成贯穿所述氧化硅层和所述氧化铝层的开口，且所述开口的侧壁具有若干凸起，且在形成所述开口时同步刻蚀去除所述图形化的光刻胶层；执行第一修复工艺去除所述开口的侧壁的凸起以使所述开口的侧壁平滑；执行第二刻蚀工艺，以所述氧化硅层和所述氧化铝层为掩模沿所述开口向下刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成沟槽，且在形成所述沟槽时同步刻蚀去除所述氧化硅层；执行第二修复工艺以使所述沟槽的侧壁垂直；以及，去除所述氧化铝层。