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一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311734023.0 |
| 申请日 | 2023/12/18 |
| 公告号 | CN117420724B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G03F1/38 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 洪银; 罗招龙; 刘秀梅; 王康; 赵广 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明提供一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法，掩膜版结构包括：掩膜版主体；多个主图形，设置于所述掩膜版主体上，在一组主图形中，多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置，相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距；以及多个辅助图形，设置于每个所述主图形的周围，每个所述辅助图形设有孔洞；其中，在一组主图形中，每个主图形与两个辅助图形对应，两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。本发明可提高掩膜版结构在曝光处理后通孔的真圆度，提高通孔和金属层的接触面积，并提高半导体产品的良率。。搜索专利查询网
专利主权项内容
1.一种半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，包括：掩膜版主体；多个主图形，设置于所述掩膜版主体上，在一组主图形中，多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置，相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距；以及多个辅助图形，设置于每个所述主图形的周围，每个所述辅助图形设有孔洞，所述孔洞的尺寸和所述辅助图形的尺寸的比值范围为1/4～3/4；其中，在一组主图形中，每个主图形与两个辅助图形对应，两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。