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一种功率半导体器件及其制作方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种功率半导体器件及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311704665.6 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117393586A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 蔡尚修 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述功率半导体器件包括：衬底，所述衬底上设置有多层外延层；柱区，设置在所述外延层内，所述柱区包括第一分部和第二分部，所述第一分部设置在所述衬底上，所述第二分部设置在所述第一分部上，所述第一分部包括多层注入区；沟槽栅极，设置在所述外延层内；以及掺杂区，环绕设置在所述沟槽栅极四周的所述外延层内。通过本发明提供的一种功率半导体器件及其制作方法，能够提高功率半导体器件的性能。
专利主权项内容
1.一种功率半导体器件，其特征在于，至少包括：衬底，所述衬底上设置有多层外延层；柱区，设置在所述外延层内，所述柱区包括第一分部和第二分部，所述第一分部设置在所述衬底上，所述第二分部设置在所述第一分部上，所述第一分部包括多层注入区；沟槽栅极，设置在所述外延层内；以及掺杂区，环绕设置在所述沟槽栅极四周的所述外延层内。