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一种掩模版及其图形修正方法
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种掩模版及其图形修正方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311715548.X |
| 申请日 | 2023/12/14 |
| 公告号 | CN117406546A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | G03F1/38 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 单闯 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本发明公开了一种掩模版及其图形修正方法，掩模版用于半导体结构的曝光步骤，掩模版至少包括：多个图版，图版包括遮盖区域和光刻区域，遮盖区域和光刻区域连接，多个光刻区域的图案拼接并形成掩模版的光刻图案，其中本次曝光所使用的图版为二级图版，前一次曝光所使用的图版为一级图版；切割道，设置在图版上；以及第一辅助图案，设置在一级图版上，第一辅助图案位于光刻区域，且第一辅助图案分布在切割道中，其中第一辅助图案在二级图版上的正投影位于遮盖区域内。本发明提供了一种掩模版及其图形修正方法，能够准确地实现对半导体结构的多次曝光，提升制程良率。
专利主权项内容
1.一种掩模版，其特征在于，所述掩模版用于半导体结构的曝光步骤，所述掩模版至少包括：多个图版，所述图版包括遮盖区域和光刻区域，所述遮盖区域和所述光刻区域连接，多个所述光刻区域的图案拼接并形成所述掩模版的光刻图案，其中本次曝光所使用的图版为二级图版，前一次曝光所使用的图版为一级图版；切割道，设置在所述图版上；以及第一辅助图案，设置在所述一级图版上，所述第一辅助图案位于所述光刻区域，且所述第一辅助图案分布在所述切割道中，其中所述第一辅助图案在所述二级图版上的正投影位于所述遮盖区域内。