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掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备

申请号: CN202311648783.X
申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备
专利类型 发明授权
申请号 CN202311648783.X
申请日 2023/12/5
公告号 CN117348333B
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 G03F1/36
权利人 合肥晶合集成电路股份有限公司
发明人 赵广; 罗招龙
地址 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

摘要文本

本发明提供了一种掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备,应用于半导体技术领域。具体的,先是对测试版图中的线条端点图形进行多次第一移动量的初始光学临近修正,直至线条端点图形的边缘位置误差小于第一阈值时停止,之后再通过引入一新的评价函数,即以线条端点图形的第一仿真图形和目标图形为基础构建一凹陷区域,然后利用该凹陷图形的面积与第二阈值的关系,筛选出线条端点图形发生pinch问题的线边,并对其进行第二移动量的线边移位调整,从而实现了在减少或最多执行预先设定的修正迭代的总次数内就可有效的降低掩膜版上的线条端点图形在硅片上所形成的半导体结构发生“断路”(pinch)的概率,进而实现提高OPC修正的精度和效率。

专利主权项内容

1.一种光学临近修正方法,其特征在于,包括:确定预制作版图对应的测试版图和所述测试版图上所包含的线条端点图形的目标图形,所述线条端点图形为由多条线边组成的闭合图形;针对所述线条端点图形,对至少一所述线边进行至少一次第一移动量的初始光学临近修正,直至所述线条端点图形的边缘放置误差小于第一阈值;根据所述线条端点图形的目标图形和其执行至少一次所述初始光学临近修正后的第一仿真图形,筛选出所述第一仿真图形相较于所述目标图形的凹陷区域,并计算所述凹陷区域的面积;若所述凹陷区域的面积不小于第二阈值,则对所述凹陷区域在所述线条端点图形上所对应的线边执行至少一次第二移动量的目标光学临近修正,直至达到预设修正迭代总次数或所述凹陷区域的面积小于所述第二阈值;具体的,根据所述线条端点图形的目标图形和所述第一仿真图形,筛选出所述凹陷区域的步骤包括:在所述线条端点图形的每一所述线边上分别设置多个切分点,所述第一仿真图形和所述目标图形的相应位置上均对应设置有所述切分点;通过所述切分点,将所述第一仿真图形和所述目标图形对准,遍历对准后的所述第一仿真图形和所述目标图形,筛选出所述第一仿真图形上的两条线段之间的线宽小于所述目标图形在相同位置处的两条线段之间的线宽的线边及其临近的切分点;所述临近的切分点、所述筛选出的所述线边以及该线边与所述目标图形的交点所围成的封闭区域即为所述凹陷区域;而对所述凹陷区域在所述线条端点图形上所对应的线边执行至少一次第二移动量的目标光学临近修正的步骤包括:确定执行末次所述初始光学临近修正后,所述线条端点图形的边缘位置误差;将该边缘位置误差和所述凹陷区域的面积代入预设第二移动量计算公式,以得到所述线条端点图形上所对应的线边执行本次目标光学临近修正的第二移动量;确定执行完所述本次目标光学临近修正后的线条端点图形的仿真图形,并将该仿真图形作为所述第一仿真图形,返回执行筛选出所述第一仿真图形相较于所述目标图形的凹陷区域,并计算所述凹陷区域的面积的步骤,直至达到预设修正迭代总次数或所述凹陷区域的面积小于所述第二阈值,其中,所述预设第二移动量计算公式为:
,其中,所述为第j次执行所述目标光学临近修正时的第二移动量,所述j为执行所述目标光学临近修正的次数,所述j的取值为i、i+1、i+2、…、n,所述j为所述预设修正迭代总次数,所述/>为凹陷区域的面积,所述/>为执行完末次所述初始光学修正后所计算出的第一移动量,所述/>为构成所述凹陷区域的临近的切分点在所述目标图形上所对应的线段的片段长度,所述D为可调参数,所述D的取值范围为:0.1~1。