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半导体结构减薄方法及结构
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构减薄方法及结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311677356.4 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117373915A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L21/306 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 刘苏涛; 林士闵; 渠兴宇 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
摘要文本
本申请涉及一种半导体结构减薄方法及结构，包括：提供承载晶圆及器件晶圆，器件晶圆包括掺杂衬底及位于掺杂衬底的正面的外延层及器件层，将器件层的顶面与承载晶圆的正面键合，然后沿垂直衬底方向去除器件晶圆中掺杂衬底的主体部分，得到残存掺杂衬底，其中，掺杂衬底的主体部分的厚度大于掺杂衬底的厚度的一半，在常温下经由残存掺杂衬底的顶面注入热辐射波，使得残存掺杂衬底的温度升高至目标温度，并使得器件晶圆的外延层保持常温，最后湿法刻蚀并去除残存掺杂衬底，提高了刻蚀选择比，简化了提高刻蚀选择比的方法，降低背照式半导体结构中刻蚀的经济成本的同时还可减少对环境的污染。 （来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种半导体结构减薄方法，其特征在于，所述方法包括：提供承载晶圆及器件晶圆；所述器件晶圆包括掺杂衬底及依次位于所述掺杂衬底正面的外延层及器件层；将所述器件层的顶面与所述承载晶圆的正面键合；沿垂直于衬底的方向去除所述掺杂衬底的主体部分，得到减薄后的残存掺杂衬底；所述主体部分的厚度大于减薄前的所述掺杂衬底的厚度的一半；在常温下经由所述残存掺杂衬底的顶面注入热辐射波，使得所述残存掺杂衬底的温度升高至目标温度，并使得所述外延层保持常温；湿法刻蚀并去除所述残存掺杂衬底。