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一种氮化镓器件结构
申请人信息
- 申请人:合肥艾创微电子科技有限公司
- 申请人地址:231200 安徽省合肥市肥西县经济开发区江淮大道与苏岗路交口合肥创新科技园B7幢1-5层
- 发明人: 合肥艾创微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氮化镓器件结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311757407.4 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117438458A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 合肥艾创微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 潘俊; 肖海林; 张胜源; 张灯奎 |
| 地址 | 安徽省合肥市肥西县经济开发区江淮大道与苏岗路交口合肥创新科技园B7幢1-5层 |
摘要文本
本发明提供一种氮化镓器件结构，包括氮化镓基片、源极区、栅极区以及漏极区，其中栅极区包含与所述氮化镓基片的一部分接触的栅极金属，该栅极金属通过电流传输结构与第一栅极金属电连接，该第一栅极金属与栅极金属在垂直方向上不重叠，所述第一栅极金属的方块电阻值R1低于所述栅极金属的方块电阻值R2。本发明在栅极金属与第一栅极金属之间通过电流传输结构进行电连接，电流可以通过电流传输结构均匀的导入到栅极金属的长度方向上多个位置，由于第一栅极金属电阻值较小的缘故，栅极金属的长度方向上多个位置的电位比较均匀，电位下降比较平均，从而提高整个栅极金属上的电位均匀性。。更多数据：搜索专利查询网来源：
专利主权项内容
1.一种氮化镓器件结构，其特征在于，包括：氮化镓基片(50)；源极区(20)，其形成于所述氮化镓基片(50)中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的源极欧姆金属(21)，该源极欧姆金属上形成有至少一层源极互连金属层；漏极区(30)，其形成于所述氮化镓基片中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的漏极欧姆金属(31)，该漏极欧姆金属上形成有至少一层漏极互连金属层; 其中源极互连金属层与漏极互连金属层的层数相同；以及栅极区(40)，其形成于所述氮化镓基片中用于分离所述源极区与漏极区，且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的栅极金属(41)，该栅极金属通过电流传输结构(42)与第一栅极金属(43)电连接，该第一栅极金属与栅极金属在垂直方向上不重叠，所述第一栅极金属的方块电阻值R1低于所述栅极金属的方块电阻值R2。 马 克 数 据 网