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一种薄膜制备装置和系统
申请人信息
- 申请人:合肥致真精密设备有限公司
- 申请人地址:231200 安徽省合肥市肥西县经济开发区繁华大道与大观亭路交口西南角立恒工业广场二期A12栋508室
- 发明人: 合肥致真精密设备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种薄膜制备装置和系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311668867.X |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117535644A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | C23C14/56 |
| 权利人 | 合肥致真精密设备有限公司 |
| 发明人 | 程厚义; 李成; 胡计豹; 丁庆 |
| 地址 | 安徽省合肥市肥西县经济开发区繁华大道与大观亭路交口西南角立恒工业广场二期A12栋508室 |
摘要文本
本发明涉及了薄膜制备技术领域，具体的说是一种薄膜制备装置和系统，包括高真空传输腔，所述高真空传输腔通过超高真空插板阀连接超高真空物理气相沉积室A、超高真空物理气相沉积室B、超高真空电子束蒸发室和超高真空氧化室，超高真空物理气相沉积室A与超高真空电子束蒸发室位于同一侧，且所述超高真空物理气相沉积室A、超高真空物理气相沉积室B设置于高真空传输腔的两侧。本发明的薄膜处理系统实现了高效、稳定的薄膜制备。高真空传输室的机械手和传感器装置确保了晶圆的精确搬运和准确定位，而超高真空物理气相沉积室和超高真空氧化室的磁控溅射阴极和样品台则提供了溅射角度和溅射距离的可调节功能，满足了不同工艺需求。 （来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种薄膜制备装置，包括高真空传输腔(1)，所述高真空传输腔(1)通过超高真空插板阀连接超高真空物理气相沉积室A(2)、超高真空物理气相沉积室B(3)、超高真空电子束蒸发室(4)和超高真空氧化室(5)，其特征在于：超高真空物理气相沉积室A(2)与超高真空电子束蒸发室(4)位于同一侧，且所述超高真空物理气相沉积室A(2)、超高真空物理气相沉积室B(3)设置于高真空传输腔(1)的两侧，且所述超高真空物理气相沉积室A(2)、超高真空物理气相沉积室B(3)与高真空传输腔(1)之间连接口为由物理气相沉积室向高真空传输腔(1)倾斜向下设置。