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一种SiC MOSFET器件的老化实验和脉冲测试系统及方法
申请人信息
- 申请人:合肥安赛思半导体有限公司
- 申请人地址:230001 安徽省合肥市高新区中国(安徽)自由贸易试验区创新大道2800号创新产业园二期F1-1701
- 发明人: 合肥安赛思半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SiC MOSFET器件的老化实验和脉冲测试系统及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311791891.2 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117761491A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | G01R31/26 |
| 权利人 | 合肥安赛思半导体有限公司 |
| 发明人 | 曹文平; 孙路; 谢海洋; 陈永鑫; 谭琨; 胡存刚 |
| 地址 | 安徽省合肥市高新区中国(安徽)自由贸易试验区创新大道2800号创新产业园二期F1-1701 |
摘要文本
本发明公开了一种SiC MOSFET器件的老化实验和脉冲测试系统及方法，包括第一可编程电源用于为栅极老化实验提供电压；第二可编程电源用于为双脉冲实验提供电压；驱动电路用于为双脉冲实验提供双脉冲，根据双脉冲实验驱动信号驱动待测SiC MOSFET器件；DUT阵列包括若干相互并联的SiC MOSFET器件；LabVIEW控制系统用于将第一编程电源输出的电压加至DUT阵列的栅极，或将驱动电路输出的电压加至DUT阵列的栅极。本发明通过设置特定的测试实验系统结构，实现既可以高效率老化SiC MOSFET器件又可以直接进行双脉冲实验。
专利主权项内容
1.一种SiC MOSFET器件的老化实验和脉冲测试系统，其特征在于，所述系统包括第一可编程电源、第二可编程电源、驱动电路、DUT阵列，以及LabVIEW控制系统；所述第一可编程电源用于为栅极老化实验提供电压；所述第二可编程电源用于为双脉冲实验提供电压；所述驱动电路用于为双脉冲实验提供双脉冲，根据双脉冲实验驱动信号驱动待测SiCMOSFET器件；所述DUT阵列包括若干相互并联的SiC MOSFET器件；所述LabVIEW控制系统用于将第一编程电源输出的电压加至DUT阵列的栅极，或将驱动电路输出的电压加至DUT阵列的栅极。 来自马-克-数-据