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电容器的制备方法
申请人信息
- 申请人:长鑫新桥存储技术有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号
- 发明人: 长鑫新桥存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电容器的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311849598.7 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117500365A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H10N97/00 |
| 权利人 | 长鑫新桥存储技术有限公司 |
| 发明人 | 宛伟 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号 |
摘要文本
本公开实施例涉及一种电容器的制备方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底上形成底支撑层、第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层和顶支撑层，第二区域上的中间支撑层包括第一子层和第二子层，第一子层的材料与第一区域上的中间支撑层的材料相同，厚度小于第一区域上的中间支撑层的厚度，第二子层和第一子层的刻蚀选择比大于1；形成贯穿底支撑层、第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层和顶支撑层的多个电容孔；在多个电容孔内形成下电极；分别在多个第二区域中形成贯穿顶支撑层的开口，开口至少暴露三个下电极；沿开口去除第二牺牲层、第二区域上的中间支撑层和第一牺牲层；在下电极的表面依次形成电介质层和上电极。
专利主权项内容
1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和多个第二区域的衬底，所述第一区域位于相邻的第二区域之间；在所述衬底上依次形成堆叠的底支撑层、第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层以及顶支撑层，其中，所述第二区域上的中间支撑层包括堆叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料与所述第一区域上的中间支撑层的材料相同，且厚度小于所述第一区域上的中间支撑层的厚度，所述第二子层和所述第一子层的刻蚀选择比大于1；形成贯穿所述底支撑层、所述第一牺牲层、所述中间支撑层、所述第二牺牲层以及所述顶支撑层的多个电容孔；分别在所述多个电容孔内形成下电极；分别在所述多个第二区域上的顶支撑层中形成贯穿所述顶支撑层的开口，且每一所述开口至少暴露相邻的三个所述下电极；沿所述开口去除所述第二牺牲层、第二区域上的中间支撑层，以及第一牺牲层，剩余的所述底支撑层、中间支撑层以及顶支撑层支撑所述下电极；在所述下电极的表面形成电介质层；以及，在所述电介质层上形成上电极。