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磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点及其制备方法与应用
申请人信息
- 申请人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址:230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 发明人: 中国科学院合肥物质科学研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点及其制备方法与应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311092750.1 |
| 申请日 | 2023/8/28 |
| 公告号 | CN117327485A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | C09K11/65 |
| 权利人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 发明人 | 王辉; 钱勇 |
| 地址 | 安徽省合肥市蜀山湖路350号 |
摘要文本
本发明公开了一种磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点及其制备方法与应用，属于碳纳米材料技术领域。制备方法包括以下步骤：以葡萄糖为碳源，氨水为氮源，水为溶剂，在磁场下进行水热反应得到。有益效果：本发明中具体以葡萄糖为碳源，氨水为氮源，以水为溶剂，并在磁场下得到所述的近红外二区响应的氮掺杂碳量子点，得到的碳量子点，其尺寸小，且具有良好的亲水性能、良好的荧光性和近红外成像性能，且可调控的氮掺杂类型和含量，有利于光热转化性能。
专利主权项内容
1.一种磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以葡萄糖为碳源，氨水为氮源，水为溶剂，在磁场下进行水热反应得到。