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一种MXene掺杂的钙钛矿单晶及其同质结光电探测器制备方法
申请人信息
- 申请人:安徽大学
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号安徽大学磬苑校区
- 发明人: 安徽大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种MXene掺杂的钙钛矿单晶及其同质结光电探测器制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311679424.0 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117729826A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H10K85/50 |
| 权利人 | 安徽大学 |
| 发明人 | 桂鹏彬; 杨良盼; 李言辉; 魏新建; 胡雅丽; 王思亮; 曾玮; 陈志亮; 叶飞鸿; 黄志祥 |
| 地址 | 安徽省合肥市经开区九龙路111号 |
摘要文本
本发明公开了一种MXene掺杂的钙钛矿单晶及其同质结光电探测器制备方法。本发明采用全溶液法制备同质结,包括采用化学溶液刻蚀法制备MXene‑DMF悬浮液,逆温度结晶法生长未掺杂的钙钛矿单晶,溶液外延法生长MXene掺杂的钙钛矿单晶。本发明方法简单、成本低廉,适合规模化生产;其次,同质结避免了钙钛矿异质结中卤素原子的交换位移,有利于提高钙钛矿单晶器件的稳定性;同时同质结形成了内建电场,可以在无偏压条件下使光生载流子分离,因此该同质结器件可以工作在自驱动模式,从而为发展便携式、无线、低功耗的钙钛矿基探测器具有推动作用。
专利主权项内容
1.一种MXene掺杂的钙钛矿单晶及其同质结器件MAPbBr/MXene-MAPbBr,主要由未掺杂的钙钛矿单晶MAPbBr和MXene掺杂的钙钛矿单晶MXene-MAPbBr形成,在未掺杂的钙钛矿单晶MAPbBr表面外延生长有MXene掺杂的钙钛矿单晶MXene-MAPbBr。333333。详见官网: