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灵敏放大器及其修补方法、存储器

申请号: CN202311444364.4
申请人: 长鑫存储技术有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 灵敏放大器及其修补方法、存储器
专利类型 发明授权
申请号 CN202311444364.4
申请日 2023/10/31
公告号 CN117174137B
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 G11C11/4091
权利人 长鑫存储技术有限公司
发明人 孙权
地址 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

摘要文本

本公开实施例公开了一种灵敏放大器及其修补方法、存储器。该灵敏放大器包括:感测放大电路,包括栅极连接第一位线的第一NMOS晶体管和栅极连接第二位线的第二NMOS晶体管;偏移消除电路,包括第三晶体管和第四晶体管;偏移消除电路用于调整感测放大电路的阈值电压失配;感测放大电路还包括:并联的第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管;其中,第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管以及第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管用于感测放大第一位线或第二位线上的电压信号。通过本公开实施例的灵敏放大器,读写过程不需要OC阶段,可以节省读写时间。

专利主权项内容

1.一种灵敏放大器,其特征在于,包括:感测放大电路,包括栅极连接第一位线的第一NMOS晶体管和栅极连接第二位线的第二NMOS晶体管;偏移消除电路,包括第三晶体管和第四晶体管;所述第三晶体管与所述第一NMOS晶体管并联;所述第四晶体管与所述第二NMOS晶体管并联;所述偏移消除电路用于调整所述感测放大电路的阈值电压失配;所述感测放大电路还包括:并联的第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管,且所述第一PMOS晶体管的栅极连接所述第二PMOS晶体管的第一端,所述第二PMOS晶体管的栅极连接所述第一PMOS晶体管的第一端;其中,所述第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管以及所述第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管用于感测放大所述第一位线或所述第二位线上的电压信号;调整电路,用于输出至少一种调整电压;其中,所述调整电路包括:第一输出端,连接所述第三晶体管的栅极;第二输出端,连接所述第四晶体管的栅极;输出选择电路,用于选择所述第一输出端或所述第二输出端输出调整电压;分压电路,所述分压电路包括多个分压信号输入端和一个分压输出端;所述多个分压信号输入端接收的多个分压信号用于调整所述分压输出端输出的所述调整电压,所述分压电路通过所述分压输出端与所述输出选择电路连接,所述分压电路用于输出所述调整电压至所述输出选择电路。