基于上交叉耦合的自控制型感应放大电路、模块
申请人信息
- 申请人:安徽大学
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经开区九龙路111号
- 发明人: 安徽大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于上交叉耦合的自控制型感应放大电路、模块 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311826688.4 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117476074B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G11C11/419 |
| 权利人 | 安徽大学 |
| 发明人 | 卢文娟; 于天祺; 陆逸笑; 关立军; 施琦; 彭春雨; 蔺智挺; 吴秀龙 |
| 地址 | 安徽省合肥市蜀山区肥西路3号 |
摘要文本
本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自控制型SRAM感应放大电路、模块。本发明包括：使能控制部、上交叉耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明避免了VDD到VSS间过多晶体管串联，节约了电压余度。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用上交叉耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存型灵敏放大器存在失调电压干扰、以及现有专利存在振荡风险的问题。
专利主权项内容
1.基于上交叉耦合的自控制型SRAM感应放大电路，其特征在于，包括：使能控制部，其用于控制所述感应放大电路工作与否；上交叉耦合部，其用于依据位线BL、BLB通过正反馈耦合放大输出节点Q、QB的电压差；其中，所述上交叉耦合部包括2个PMOS管，记为P7、P8；P7的栅极连接QB，P7的源极连接BL，P7的漏极连接Q；P8的栅极连接Q，P8的源极连接BLB，P8的漏极连接QB；自控制输入部，其用于根据Q、QB的电压变化自适应切断BLB或BL对上交叉耦合部的影响；其中，所述自控制输入部包括6个PMOS管和4个NMOS晶体管，记为P1、P2、P3、P4、P5、P6、N2、N3、N4、N5；P1的栅极连接Q，P1的源极连接BLB，P1的漏极连接控制节点H；P2的栅极连接H，P2的源极连接BLB；P3的栅极连接控制节点K，P3的源极连接P2的漏极，P3的漏极连接输入节点B；P4的栅极连接H，P4的漏极连接输入节点A；P5的栅极连接K，P5的源极连接BL，P5的漏极连接P4的源极；P6的栅极连接QB，P6的源极连接BL，P6的漏极连接K；N2的栅极连接K，N2的源极连接VSS，N2的漏极连接B；N3的栅极连接B，N3的漏极连接Q，N3的源极连接使能控制部；N4的栅极连接A，N4的漏极连接QB，N4的源极连接使能控制部；N5的栅极连接H，N5的源极连接VSS，N5的漏极连接A；以及预充电路部，其用于在所述感应放大电路不工作时将H、K通过VSS预充到低电平，将Q、QB通过VDD预充到高电平。