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一种降低界面副反应的硅碳负极材料及其制备方法
申请人信息
- 申请人:宣城矽立科新材料有限公司
- 申请人地址:242000 安徽省宣城市宣州区宣城高新技术产业开发区叠翠西路与马山路交叉口东北角
- 发明人: 宣城矽立科新材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种降低界面副反应的硅碳负极材料及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311632343.5 |
| 申请日 | 2023/12/1 |
| 公告号 | CN117542980A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H01M4/36 |
| 权利人 | 宣城矽立科新材料有限公司 |
| 发明人 | 许峰; 杨金同 |
| 地址 | 安徽省宣城市宣州区宣城高新技术产业开发区叠翠西路与马山路交叉口东北角 |
摘要文本
本发明涉及锂离子电池负极材料制备领域，具体是一种降低界面副反应的硅碳负极材料及其制备方法；所述降低界面副反应的硅碳负极材料包括：多孔碳，多孔碳内部通过气相沉硅工艺填充有纳米级别的无定型硅；在多孔碳外围通过铝热还原反应形成Al2O3层；而在Al2O3层外围包覆有碳包覆层；所述的降低界面副反应的硅碳负极材料采用氧化性气体将硅碳复合负极材料的表层硅进行氧化，且同时根据铝热还原反应将表层的SiO2层反应生成Al2O3层和无定型Si，且形成的Al2O3层在气相沉碳过程中，起到催化作用，提高sp2杂化比例，提高导电性。 百度搜索专利查询网
专利主权项内容
1.一种降低界面副反应的硅碳负极材料，其包括：多孔碳3，多孔碳3为Dv50＝3～10um的球形多孔碳，且多孔碳3的孔容要求在0.7～1.1cm/g，孔径要求为＜2nm的孔占比在70％以上，比表要求在1500～2000m/g之间；其特征在于：32多孔碳3内部通过气相沉硅工艺填充有纳米级别的无定型硅4；在多孔碳3外围通过铝热还原反应形成AlO层2；而在AlO层2外围包覆有碳包覆层1。2323