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异质结电池及其制备方法
申请人信息
- 申请人:安徽华晟新能源科技有限公司
- 申请人地址:242000 安徽省宣城市宣城经济技术开发区清流路99号
- 发明人: 安徽华晟新能源科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 异质结电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311576906.3 |
| 申请日 | 2023/11/23 |
| 公告号 | CN117594671A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L31/0224 |
| 权利人 | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
| 发明人 | 梅志纲; 于长悦; 辛科; 张鑫; 张鑫义 |
| 地址 | 安徽省宣城市宣城经济技术开发区清流路99号 |
摘要文本
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供异质结太阳能电池及其制备方法。异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；第一导电膜层，位于半导体衬底层的至少一侧；栅线电极，位于部分第一导电膜层远离半导体衬底层的一侧表面；第二导电膜层，位于部分第一导电膜层远离半导体衬底层的一侧表面且包围栅线电极，第二导电膜层在第一导电膜层的正投影与栅线电极在第一导电膜层的正投影共同完全覆盖第一导电膜层的表面，且第二导电膜层与栅线电极相对于第一导电膜层面积互补；第二导电膜层和栅线电极形成电连接。本发明保证栅线电极与导电膜层的接触面积增大的同时，避免栅线电极对异质结太阳电池的遮光面积增大，提高异质结太阳电池的光电转换效率。
专利主权项内容
来自马-克-数-据-官网 1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：半导体衬底层；第一导电膜层，位于所述半导体衬底层的至少一侧；栅线电极，位于部分所述第一导电膜层远离所述半导体衬底层的一侧表面；第二导电膜层，位于部分所述第一导电膜层远离所述半导体衬底层的一侧表面且包围所述栅线电极，所述第二导电膜层在所述第一导电膜层的正投影与所述栅线电极在所述第一导电膜层的正投影共同完全覆盖所述第一导电膜层的表面，且所述第二导电膜层与所述栅线电极相对于所述第一导电膜层面积互补；所述第二导电膜层和所述栅线电极形成电连接。