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一种异质结电池的制备方法
申请人信息
- 申请人:安徽华晟新能源科技有限公司
- 申请人地址:242000 安徽省宣城市宣城经济技术开发区科技园
- 发明人: 安徽华晟新能源科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种异质结电池的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311436318.X |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117457807A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L31/20 |
| 权利人 | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
| 发明人 | 张良; 赵泽; 彭长涛; 萧吉宏 |
| 地址 | 安徽省宣城市宣城经济技术开发区科技园 |
摘要文本
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在半导体衬底层的至少一侧形成掺杂半导体层；在掺杂半导体层背离半导体衬底层的一侧表面形成透明导电膜，透明导电膜包括依次交替设置的电极区和非电极区；在透明导电膜背离半导体衬底层的一侧表面依次形成金属种子层和防氧化层；去除电极区的防氧化层；在电极区的金属种子层背离半导体衬底层的一侧表面形成电极；去除非电极区的金属种子层和防氧化层。形成的异质结电池的电极接触电阻小且附着力好。而采用刻蚀工艺能有选择性的移除非电极区的金属种子层和防氧化层，因此无需开模即可加工出所需图形，节省开模费用，且提高加工精度、衬底层的平整度。
专利主权项内容
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层的至少一侧形成掺杂半导体层；在所述掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成透明导电膜，所述透明导电膜包括依次交替设置的电极区和非电极区；在所述透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧表面依次形成层叠的金属种子层和防氧化层；去除所述电极区的防氧化层；在所述电极区的金属种子层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成电极；采用刻蚀工艺去除所述非电极区的金属种子层和防氧化层。