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薄膜型热流传感器及其制备方法
申请人信息
- 申请人:山东大学
- 申请人地址:264209 山东省威海市环翠区文化西路180号
- 发明人: 山东大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 薄膜型热流传感器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311810138.3 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117470413A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | G01K17/00 |
| 权利人 | 山东大学 |
| 发明人 | 王勇; 黄亚辉; 王昆仑; 张学思 |
| 地址 | 山东省威海市环翠区文化西路180号 |
摘要文本
本发明属于传感器技术领域，涉及一种薄膜型热流传感器及其制备方法，薄膜型热流传感器包括：4H‑SiC单晶衬底，其电阻率大于106Ωcm；外延层，在4H‑SiC单晶衬底上偏离c轴轴线夹角θ, 0°方向生长，外延层的电阻率为10‑2~10‑4Ωcm，外延层与4H‑SiC单晶衬底材质相同；设于外延层上表面的金属电极对，金属电极对的两个金属电极分别位于外延层两端部，金属电极连接金属导线；热吸收层，设于外延层上表面，位于金属电极对的两个金属电极之间，热吸收层分别与金属电极对的两个金属电极间隔设置。本发明能够在高温环境下快速测试热流。
专利主权项内容
1.一种薄膜型热流传感器，其特征在于，包括：4H-SiC单晶衬底，其电阻率大于10Ω cm；6外延层，在4H-SiC单晶衬底上偏离c轴轴线夹角θ, 0°<θ<45°朝向<11-20>方向生长，外延层的电阻率为10~10 Ω cm，外延层与4H-SiC单晶衬底材质相同；-2-4金属电极对，设于外延层上表面，金属电极对的两个金属电极分别位于外延层的两端部，每个金属电极均连接一金属导线；热吸收层，设于外延层上表面，热吸收层位于金属电极对的两个金属电极之间，热吸收层分别与金属电极对的两个金属电极间隔设置。