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一种氧掺杂二硒化钯材料、制备方法及其在制备光电探测器中的应用
申请人信息
- 申请人:济南大学
- 申请人地址:250022 山东省济南市南辛庄西路336号
- 发明人: 济南大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氧掺杂二硒化钯材料、制备方法及其在制备光电探测器中的应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311574256.9 |
| 申请日 | 2023/11/23 |
| 公告号 | CN117613140A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 济南大学 |
| 发明人 | 逄金波; 侯崇洋; 刘瑞; 王慧; 秦燕; 李梦娜; 刘宏; 周伟家 |
| 地址 | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
摘要文本
本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:先通过电子束蒸发镀膜仪,在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上,得到钯薄膜;然后通过化学气相沉积,对钯薄膜进行硒化反应,得到二硒化钯薄膜;最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理,即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂,进而实现对PdSe2性能的调控;通过对O掺杂量的调控,实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变,并且这种变化具有稳定性。
专利主权项内容
1.一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)先通过电子束蒸发镀膜仪,在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO衬底上,得到钯薄膜;2(2)然后通过化学气相沉积,对钯薄膜进行硒化反应,得到二硒化钯薄膜;(3)最后对二硒化钯薄膜进行O plasma处理,即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。2 (来 自 马 克 数 据 网)