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一种具有异质结构的BZN/BMN介电调谐复合薄膜及其制备方法

申请号: CN202311228288.3
申请人: 齐鲁工业大学(山东省科学院)
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种具有异质结构的BZN/BMN介电调谐复合薄膜及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311228288.3
申请日 2023/9/22
公告号 CN117328046A
公开日 2024/1/2
IPC主分类号 C23C18/12
权利人 齐鲁工业大学(山东省科学院)
发明人 石锋; 安忠芬; 张灵翠; 于迎波; 刘方元; 徐越; 沈燕; 赵金博
地址 山东省济南市西部新城大学科技园

摘要文本

本发明提供了一种具有异质结构的BZN/BMN介电调谐复合薄膜及其制备方法,所述复合薄膜包括基片和基片上层叠的以BZN/BMN为周期单元重复排列的复合层,所述复合层中包括2~3个周期单元;所述多层复合的介电可调薄膜在1.5MV/cm的偏置电场下介电调谐率≥60%,介电损耗≤0.006。本发明提供的复合薄膜综合了BZN薄膜和BMN薄膜的性能特点,在较低偏置电压下介电调谐率高,兼具较小的介电损耗和较强的性能稳定性。此外,本发明使用溶胶‑凝胶法制备上述复合薄膜,在制备BZN薄膜和BMN薄膜时,使用硫酸代替有高毒性和易挥发性的氢氟酸,降低了对设备材料要求和对环境的污染,还节省了制备的工序和成本;使用酒石酸代替柠檬酸,有利于溶胶稳定性的提高,使制备出的薄膜性能更优。 数据由马 克 数 据整理

专利主权项内容

1.一种具有异质结构的BZN/BMN介电调谐复合薄膜,其特征在于,所述复合薄膜包括基片和基片上层叠的以BZN/BMN为周期单元重复排列的复合层,所述复合层中包括2~3个周期单元;所述多层复合的介电可调薄膜在1.5MV/cm的偏置电场下介电调谐率≥60%,介电损耗≤0.006。。马 克 数 据 网