← 返回列表
一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器
申请人信息
- 申请人:潍坊先进光电芯片研究院; 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址:261071 山东省潍坊市潍城区经济开发区工业一街195号
- 发明人: 潍坊先进光电芯片研究院; 中国科学院半导体研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311329677.5 |
| 申请日 | 2023/10/16 |
| 公告号 | CN117075256B |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | G02B6/12 |
| 权利人 | 潍坊先进光电芯片研究院; 中国科学院半导体研究所 |
| 发明人 | 王海玲; 王学双; 周旭彦; 张建心; 张康; 王延坤; 贾艳青; 董风鑫; 渠红伟 |
| 地址 | 山东省潍坊市潍城区经济开发区工业一街195号; 北京市海淀区清华东路甲35号 |
摘要文本
本申请公开了一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器，包括硅基混合等离激元波导结构、高折射率波导光栅结构和低折射率波导光栅结构；所述硅基混合等离激元波导结构包括自下而上设置的SOI晶圆的硅衬底层、埋氧层、硅波导层、低折射率波导层、金属波导层，所述低折射率波导层与硅波导层的界面处引入一组高折射率波导光栅结构，所述低折射率波导层与金属波导层的界面处的引入一组低折射率波导光栅结构。具有以下优点：结构紧凑，而且在保持良好的反射特性的同时通过微调结构参数还能实现的反射谱优化以及解决模式反射单一的问题。
专利主权项内容
1.一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器，其特征在于：包括硅基混合等离激元波导结构、高折射率波导光栅结构和低折射率波导光栅结构；所述硅基混合等离激元波导结构包括自下而上设置的SOI晶圆的硅衬底层、埋氧层、硅波导层、低折射率波导层、金属波导层，SOI晶圆的硅衬底层和埋氧层的宽度相同，硅波导层、低折射率波导层和金属波导层宽度相同，窄于SOI晶圆的硅衬底层和埋氧层，硅波导层在埋氧层上方居中放置；所述低折射率波导层与硅波导层的界面处引入一组高折射率波导光栅结构，所述低折射率波导层与金属波导层界面处引入一组低折射率波导光栅结构；所述高折射率波导光栅结构和低折射率波导光栅结构上下平行排列并且两者之间存在偏移量。