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基于能量负反馈的自适应谐振WPT系统

申请号: CN202311491609.9
申请人: 烟台哈尔滨工程大学研究院
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于能量负反馈的自适应谐振WPT系统
专利类型 发明申请
申请号 CN202311491609.9
申请日 2023/11/10
公告号 CN117458736A
公开日 2024/1/26
IPC主分类号 H02J50/12
权利人 烟台哈尔滨工程大学研究院
发明人 郭栋; 黄发胜; 尹赫; 史文涛; 何钰璋
地址 山东省烟台市烟台经济技术开发区青岛大街1号

摘要文本

本发明公开基于能量负反馈的自适应谐振WPT系统,包括,谐振网络及无功功率拾取回路;其中,谐振网络包括发送网络及接收网络;无功功率拾取回路串联于发送网络的激励电压源、发射端谐振电容之间;无功功率拾取回路包括整流电容、第三MOSFET管及第二MOSFET管,第三MOSFET管及第四MOSFET管串联后与整流电容并联;发射端谐振电容一端连接于第三MOSFET管及第四MOSFET管之间;激励电源一端连接于整流电容及第四MOSFET管之间;通过对第三MOSFET管及第四MOSFET管进行导通及相位的调整实现无功功率负反馈进而实现WPT系统的自适应谐振。 来自专利查询网

专利主权项内容

1.基于能量负反馈的自适应谐振WPT系统,其特征在于,包括:谐振网络及无功功率拾取回路;其中,所述谐振网络包括发送网络及接收网络;所述发送网络上依次串联设置有激励电源、发射端谐振电容、发射线圈及发射端电阻;所述无功功率拾取回路串联于所述激励电压源、发射端谐振电容之间;所述无功功率拾取回路包括整流电容、第三MOSFET管及第二MOSFET管,所述第三MOSFET管及第四MOSFET管串联后与整流电容并联;所述发射端谐振电容一端连接于第三MOSFET管及第四MOSFET管之间;所述激励电源一端连接于整流电容及第四MOSFET管之间;通过对第三MOSFET管及第四MOSFET管进行导通及相位的调整实现无功功率负反馈进而实现WPT系统的自适应谐振。